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产品分类
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产品信息
General Description
The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications.
Product Summary
N-Channel P-Channel
VDS= 30V -30V
ID= 3.4A (VGS=10V) -2.3A (VGS=-10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 60mΩ (VGS=10V) < 115mΩ (VGS=-10V)
< 70mΩ (VGS=4.5V) < 150mΩ (VGS=-4.5V)
< 90mΩ (VGS=2.5V) < 200mΩ (VGS=-2.5V)
Parameter Symbol